正式(B,C)Pt纳米线的(B)高分辨率TEM图像和相应的(C)整个HRTEM图像的FFT(黄框)。

文件务改图4.三维原子探针断层扫描结果。【图文导读】图1.采用双束电子显微镜一步一步制备用于APT实验的样品，第电业点项最终获得的样品为尖端直径约为50纳米的针状样品。

 (A)APT重构中的Zr元素等值面以及感兴趣的立方体区域; (B)沿立方体区域z轴方向Zr、批增Si和Y元素浓度分布。(C)沿立方体区域z轴方向Y元素浓度分布，量配证明 Y元素在ZrO2/SiO2异相界面的偏析。 (A-C) STEM-EDX成分分析结果，革试由于Y元素含量较低而不能通过STEM-EDX技术准确获取其分布; (D-G)经降噪处理后的STEM-EELS成分分析结果，革试可观察到部分Y元素分布于ZrO2纳米粒子晶内。

目开该研究以题为Three-dimensionalinsightsintointerfacial segregationattheatomicscaleinananocrystallineglass-ceramic发表在国际著名期刊NanoLetters上。始报送图2.采用透射电镜技术表征Y元素掺杂ZrO2-SiO2纳米玻璃陶瓷的微观结构。

正式三维原子探针层析技术（AtomProbeTomography,APT）是近年来兴起的的可以获得材料原子级空间分辨率三维表征方法。

 (F) (E)图中对应的二维成分等高线图，文件务改在ZrO2/SiO2异相界面(用白色箭头表示)出现了Y元素偏析和Zr/Si相互扩散层(对应白色)。因此，第电业点项为了在AM钛合金中获得细小的等轴β晶粒，必须充分注意避免β晶粒的热影响粗化，特别是对于包含大量热量累积的大型零件的高效率沉积。

在本研究中，批增对于25℃和800℃基材，单层高度分别约为637~1640μm和787~2738μm。值得注意的是，量配在初始β-晶粒较小、激光能量密度较大和预热温度较高的情况下，晶粒粗化更加严重。

因此，革试相应的理论层厚分别为255~656μm和315~1095μm。另一方面，目开以前所有关于AM钛合金HAZ的研究主要集中在α相的粗化（层带：目开粗大的魏氏α集束）和随工艺参数变化的HAZ，然而，在动力学上与α相的粗化完全不同的AM钛合金HAZ中的β晶粒的粗化被完全忽视了。